Jose Nildo Lima
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Os MOSFETs ou transistores de efeito de campo de silício de óxido metálico foram inventados para superar as desvantagens dos FETs, como operação lenta, alta resistência ao dreno e impedância de entrada moderada. Neste artigo, vamos aprender sobre os fundamentos do MOSFET.
Os transistores de efeito de campo de silício de óxido metálico comumente conhecidos como MOSFETs são dispositivos eletrônicos usados para alternar ou amplificar tensões em circuitos. É um dispositivo controlado por corrente e é construído por três terminais. Os terminais do MOSFET são nomeados da seguinte forma:
Figura 1: Paramentos e escolha para montagem de fontes |
Esquema de um MOSFET CANL N E CANAL P |
Figura 3 um MOSFET DE USO COMUM |
O circuito do MOSFET é tipicamente representado da seguinte forma:
Quando a tensão é aplicada à porta, é gerado um campo elétrico que altera a largura da região do canal, onde os elétrons fluem. Quanto maior a região do canal, melhor será a condutividade de um dispositivo.
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Transistores de Efeito de Campo | Transistor de junção bipolar |
A classificação do MOSFET com base na construção e no material utilizado é apresentada abaixo no fluxograma.
Os MOSFETs são de duas classes: modo de aprimoramento e modo de depleção . Cada classe está disponível como canal n ou canal p; portanto, no geral, eles registram até quatro tipos de MOSFETs.
Quando não há tensão no terminal da porta, o canal mostra condutância máxima. Quando a tensão no terminal da porta é positiva ou negativa, a condutividade do canal diminui.
Quando não há tensão no terminal da porta, o dispositivo não conduz. Quando há a tensão máxima no terminal da porta, o dispositivo mostra uma condutividade aprimorada.
Os MOSFETs de canal N são abreviados como NMOS e são representados simbolicamente conforme mostrado na figura abaixo:
Da mesma forma, os MOSFETs do canal P são abreviados como PMOS e são representados simbolicamente da seguinte forma:
Um MOSFET exibe três regiões de operação. Aqui, vamos discutir essas regiões.
A região de corte é uma região na qual não haverá condução e, como resultado, o MOSFET estará DESLIGADO. Nesta condição, o MOSFET se comporta como uma chave aberta.
A região ôhmica é uma região onde a corrente ( I DS ) aumenta com o aumento do valor de V DS . Quando os MOSFETs são feitos para operar nesta região, eles são usados como amplificadores.
Na região de saturação, os MOSFETs têm sua I DS constante apesar do aumento de V DS e ocorre quando V DS excede o valor da tensão de pinch- off VP . Nesta condição, o dispositivo atuará como uma chave fechada através da qual flui um valor saturado de I DS . Como resultado, essa região de operação é escolhida sempre que os MOSFETs são necessários para realizar operações de comutação.
MOSFETs são comumente usados como switches. O circuito abaixo mostra a configuração do MOSFET quando usado como switch.
MOSFET como switch |
No arranjo do circuito, um MOSFET de canal N no modo Enhancement é usado para ligar e desligar uma lâmpada simples. A tensão de destino de entrada V gs é ajustada para uma tensão positiva apropriada para ligar o dispositivo e o nível de tensão é definido para um valor negativo ou zero para desligá-lo.
As características de comutação para MOSFET de canal N e canal P estão resumidas na tabela abaixo:
Nesta seção, vamos discutir algumas diferenças entre MOSFET e BJT.
Os transistores de efeito de campo de silício de óxido metálico ou MOSFET são um dispositivo de quatro terminais controlado por corrente que é usado para fins de comutação e amplificação.
Sim, os MOSFETs são bidirecionais.
Os MOSFETs são de duas classes: modo de aprimoramento e modo de depleção . Cada classe está disponível como canal n ou canal p; portanto, no geral, eles registram até quatro tipos de MOSFETs.
Existem três regiões de operação e são denominadas como: região de corte, região ôhmica e região de saturação.
MOSFET é um dispositivo controlado por tensão, enquanto um BJT é um dispositivo controlado por tensão.
By Jose Nildo Lima Técnico em Eletrônica e Informática
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